NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)

학습유형
학습시작일
학습기간

1개월 + 무료 추가복습기간 제공

수료기준 진도 100% 이상 , 시험 0회 , 과제 0회 상세보기
교육비정가 40,392원
실결제금액 40,392원
  • 과정소개
  • 학습대상
  • 학습목표
  • 교수소개
  • 교재정보
  • 학습내용
  • 평가기준
과정 소개 NAND Flash 구조와 동작원리 (초급)
학습 대상 반도체 제조 공정 관련 직무 종사자
학습 목표 NAND Flash의 구조에 대해 설명할 수 있다. 
NAND Flash의 동작원리에 대해 설명할 수 있다.​
교수 소개

송복남

교재 정보
학습내용
차시 내용
1차시 [1] 1. Memory introduction
2차시 [2] 2. Data access & Market
3차시 [3] 3. Basic concept (Doping)
4차시 [4] 4. Basic concept (Energy-band)
5차시 [5] 5. Basic concept (PN junction)
6차시 [6] 6. History of MOS and NAND flash
7차시 [7] 7. EPROM, EEPROM, Flash
8차시 [8] 8. DRAM and Capacitance
9차시 [9] 9. Floating Gate and Cell Vt
10차시 [10] 10. NAND cell string
11차시 [11] 11. NAND, NOR cell structure
12차시 [12] 12. NAND read and MOS I-V curve
13차시 [13] 13. NAND cell Vt distribution plot
14차시 [14] 14. NAND read operation (1)
15차시 [15] 15. NAND read operation (2)
16차시 [16] 16. NAND read operation (3)
평가기준
평가항목 진도율 시험 과제 진행단계평가 수료기준
평가비율 - 0% 0% 0% -
수료조건 100% 이상 0점 이상 0점 이상 0점 이상 0점 이상